Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Η εικόνα μπορεί να είναι παράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

IXFN80N60P3

Stock Available Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)
1+
$24.91
10+
$22.97
100+
$19.62
Κατασκευαστής Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN80N60P3
Κατασκευαστής / Μάρκα
IXYS
Μέρος της Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Φύλλα δεδομένων:
IXFN80N60P3.pdf
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:
Κατάσταση αποθεμάτων:
Νέο πρωτότυπο, διαθέσιμο διαθέσιμο.
Πλοίο από:
Hong Kong
Τρόπος αποστολής:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Έρευνα Online

Συμπληρώστε όλα τα υποχρεωτικά πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Κάντε κλικ στο κουμπί "Υποβολή αιτήματος"Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σύντομα μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου ή στείλτε μας email: info@modules-igbt.com
Αριθμός εξαρτήματος
Κατασκευαστής
Απαιτούμενη ποσότητα
Ενδεικτική τιμή(USD)
Όνομα Εταιρίας
όνομα επαφής
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Μήνυμα
Εισαγάγετε τον κωδικό επαλήθευσης και κάντε κλικ στην επιλογή "Υποβολή"
Αριθμός εξαρτήματος IXFN80N60P3
Κατασκευαστής / Μάρκα IXYS
Κατηγορία Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single
Περιγραφή MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή SOT-227B
Σειρά HiPerFET™, Polar3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 960W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Chassis Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 13100 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 190 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 600 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXFN80

Συσκευασία

Προσφέρουμε την υψηλότερη ποιότητα, την πιο οικονομικά διαθέσιμη συσκευασία στατικής ασπίδας. Με 40% διαφάνεια φωτισμού, επιτρέπει την εύκολη αναγνώριση των IC (ολοκληρωμένα κυκλώματα) και των PCB (πλακέτες τυπωμένων κυκλωμάτων). Η εξαιρετικά ανθεκτική θολωμένη μεταλλική κατασκευή δίνει την απόδοση του FaradayCage που απαιτείται για την αποτελεσματική προστασία αυτών των στοιχείων από τη στατική φόρτιση.

Όλα τα προϊόντα θα συσκευάζονται σε αντιστατικό σάκο. Πλοία με αντιστατική προστασία ESD.
Η εξωτερική συσκευασία του ESD θα χρησιμοποιήσει τις πληροφορίες της εταιρίας μας: Part Mumber, Brand and Quantity.
Θα ελέγξουμε όλα τα προϊόντα πριν από την αποστολή, θα εξασφαλίσουμε όλα τα προϊόντα σε καλή κατάσταση και θα διασφαλίσουμε ότι τα εξαρτήματα είναι καινούργια φύλλα δεδομένων originalmatch.
Αφού όλα τα αγαθά διασφαλίζουν ότι δεν υπάρχουν προβλήματα μετά την συσκευασία, θα συσκευάσουμε με ασφάλεια και θα στείλουμε μέσω της παγκόσμιας έκφρασης. Παρουσιάζει εξαιρετική αντοχή σε διάτρηση και σχισίματα μαζί με καλή ακεραιότητα στεγανότητας.
Μπορούμε να προσφέρουμε παγκόσμια υπηρεσία ταχείας παράδοσης, όπως DHLor FedEx ή TNT ή UPS ή άλλο μεταφορέα για αποστολή.

Παγκόσμια αποστολή από τη DHL / FedEx / TNT / UPS

Τιμολόγια αποστολής αναφοράς DHL / FedEx
1). Μπορείτε να προσφέρετε τον λογαριασμό σας ταχείας παράδοσης για αποστολή, αν δεν έχετε κανένα ρητό λογαριασμό για αποστολή, μπορούμε να προσφέρουμε το λογαριασμό μας εκ των προτέρων.
2). Χρήση του λογαριασμού μας για αποστολή, χρέωση αποστολής (αναφορά DHL / FedEx, διαφορετικές χώρες έχει διαφορετική τιμή.)
Τέλη αποστολής: (Αναφορά DHL και FedEX)
Βάρος (KG): 0.00kg-1.00kg Τιμή (USD $): USD $ 60.00
Βάρος (KG): 1,00kg-2,00kg Τιμή (USD $): USD $ 80.00
* Η τιμή του κόστους αναφέρεται στην DHL / FedEx. Οι λεπτομέρειες χρεώσεις, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας. Σε διαφορετική χώρα, οι ρητές χρεώσεις είναι διαφορετικές.



IXFN80N60P3 λεπτομέρειες προιόντος:

IXFN80N60P3: Understanding the Key Features and Applications of N-Channel MOSFETs Are you looking for high-performance MOSFETs for your electronic devices or industrial applications? If yes, then you might want to check out the IXFN80N60P3 from the discrete semiconductor product series. In this article, we will provide you with everything you need to know about the product, including its main features and performance parameters, manufacturing process, and application scenarios. The IXFN80N60P3 model is a single MOSFET transistor with an N-Channel and a voltage capacity of 600V. It has a maximum current of 66A and comes in the SOT-227B package. The device features low on-state resistance, making it highly efficient. The MOSFET is designed to generate less heat during application, enabling devices to work efficiently, reducing energy costs. Due to these features, the IXFN80N60P3 has become popular amongst manufacturers of renewable energy products and transportation systems. One of the significant features of the IXFN80N60P3 is its high accuracy and efficiency in converting power from an electronic device while keeping energy losses to a minimum. It has a wide temperature range of up to 175 degrees Celsius, making it suitable for industrial application scenarios where high temperatures are involved. Its ability to generate power with less heat makes it ideal for applications such as lighting, audio, motor control, and power supply systems. The IXFN80N60P3 can also be used to build circuits for various electronic devices that demand high power. Its low on-state resistance makes it suitable for use in high-frequency circuit designs, thus making it popular in RF wireless communications. The manufacturing process of the IXFN80N60P3 involves several complex stages. It starts with chip designing, which is optimized to produce high-performance devices. The next stage is material cutting and cleaning to obtain clean silicon wafers. The wafers are further processed through laser cutting, back-grinding, doping, exposure, vapor deposition, and etching. These steps ensure the optimization of the MOSFET's characteristics for specific application scenarios. After production, the devices undergo the appropriate testing for functionality and quality assurance to maintain the component's performance. Finally, the devices undergo the packaging process to ensure its safe delivery and longevity. In summary, the IXFN80N60P3 is an excellent choice for electronic devices and industrial applications that require high energy-efficient MOSFETs. Its high performance and accuracy parameters make it an excellent option in sourcing products for different design needs, which demand a high-quality standard. Whether for lighting systems, audio devices, motor control, or power supply applications, the IXFN80N60P3 is a great choice.

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει: