Wybierz swój kraj lub region.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Obraz może być reprezentacją.
Zobacz specyfikacje, aby poznać szczegóły produktu.

IXFN80N50Q3

W magazynie 8 pcs Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)
1+
$42.02
10+
$39.20
100+
$34.04
Producent Part Number:
IXFN80N50Q3
Producent / marka
IXYS
Część opisu:
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Arkusze danych:
IXFN80N50Q3.pdf
Stan ołowiu / status RoHS:
Stan magazynowy:
Nowy oryginalny, 8 szt. Zapasów Dostępne.
Statek z:
Hong Kong
Sposób wysyłki:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Zapytanie online

Wypełnij wszystkie wymagane pola danymi kontaktowymi.Kliknij „ZŁOŻYĆ WNIOSEK„wkrótce skontaktujemy się z Tobą przez e-mail. Lub napisz do nas: info@modules-igbt.com
Part Number
Producent
Wymagaj ilości
Cena docelowa(USD)
Nazwa firmy
Nazwa Kontaktu
E-mail
Telefon
Wiadomość
Wprowadź kod weryfikacyjny i kliknij "Prześlij"
Part Number IXFN80N50Q3
Producent / marka IXYS
Wielkość zbiorów 8 pcs Stock
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - FET, MOSFETS - Single
Opis MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Stan ołowiu / status RoHS: RoHS Compliant
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Vgs (maks.) ±30V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet SOT-227B
Seria HiPerFET™, Q3 Class
RDS (Max) @ ID, Vgs 65mOhm @ 40A, 10V
Strata mocy (max) 780W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet Tube
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Chassis Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 500 V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 63A (Tc)
Podstawowy numer produktu IXFN80

Opakowanie

Oferujemy najwyższej jakości, najbardziej ekonomiczne opakowanie statyczne. Dzięki 40% przezroczystości światła umożliwia łatwą identyfikację układów scalonych (układów scalonych) i płytek drukowanych (płytek drukowanych). Niezwykle wytrzymała konstrukcja z ukrytym metalem zapewnia wydajność FaradayCage niezbędną do skutecznego zabezpieczenia tych komponentów przed ładunkiem statycznym.

Wszystkie produkty będą pakowane w torbę antystatyczną. Statek z ochroną antystatyczną ESD.
Etykieta opakowania zewnętrznego ESD będzie wykorzystywać informacje naszej firmy: część Mumber, marka i ilość.
Sprawdzimy wszystkie towary przed wysyłką, zapewnimy wszystkie produkty w dobrym stanie i upewnimy się, że części są nowym oryginalnym arkuszem danych.
Po tym, jak wszystkie towary nie będą mieć problemów po pakowaniu, zapakujemy je bezpiecznie i wyślemy globalnym express. Wykazuje doskonałą odporność na przebicie i rozdarcie oraz dobrą integralność uszczelnienia.
Oferujemy usługi ekspresowej dostawy na całym świecie, takie jak DHLor FedEx lub TNT lub UPS lub inny spedytor do wysyłki.

Globalna przesyłka przez DHL / FedEx / TNT / UPS

Opłaty za wysyłkę odesłać DHL / FedEx
1). Możesz zaoferować swoje ekspresowe konto dostawy do wysyłki, jeśli nie masz żadnego konta ekspresowego do wysyłki, możemy zaoferować nasze niedopuszczalne konto.
2). Skorzystaj z naszego konta do wysyłki, Opłaty za wysyłkę (Referencja DHL / FedEx, Różne kraje mają inną cenę).
Opłaty za przesyłkę : (Referencja DHL i FedEX)
Waga (KG): 0,00 kg - 1,00 kg Cena (USD): 60,00 USD
Waga (KG): 1,00 kg - 2,00 kg Cena (USD): 80,00 USD
* Cena kosztu odnosi się do DHL / FedEx. Szczegóły opłat, skontaktuj się z nami. Różne kraje opłaty ekspresowe są różne.



IXFN80N50Q3 Szczegóły Produktu:

IXFN80N50Q3: A Powerful MOSFET for High-Power Applications As the demand for high-power electronic devices continues to grow, the need for powerful and efficient transistors is more significant than ever. The IXFN80N50Q3 MOSFET is a top-performing device that has been designed to cater to such applications. In this article, we will explore the various features and parameters of the IXFN80N50Q3 and discuss its applications and offerings. Product Model Number and Main Features The IXFN80N50Q3 is a discreet semiconductor product that belongs to the group of MOSFETs. It is a single MOSFET and is rated at 500V, 80A. What makes this device stand out in its segment is its low RDS(on) value of 0.044Ω. Additionally, the IXFN80N50Q3 boasts a powerful thermal performance that can dissipate heat up to 300 W. The device is also RoHS compliant, making it an environmentally friendly and safe choice. Product Classification and Application Scenarios The IXFN80N50Q3 MOSFET belongs to the group of MOSFETs and is ideal for high-power applications such as industrial equipment, power supplies, motor drives, and welding machines, among others. The MOSFET's high output voltage, current, and power make it an excellent choice for devices that require high-power consumption. Usage and Feature Parameters The device's primary usage is to regulate the flow of current and voltage in electronic circuits and equipment. The IXFN80N50Q3 is known for its high accuracy, efficiency, and temperature range, which makes it ideal for applications that demand reliable and secure performance. With these features, the device can operate efficiently under harsh environments such as high altitude and extreme temperatures. Types of Integrated Circuits Integrated circuits come in different types like digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN80N50Q3 MOSFET is a digital MOSFET but can work with analog signals too. Complex Manufacturing Process The IXFN80N50Q3 MOSFET goes through a rigorous and complex manufacturing process. First, the chip is designed, then cut and cleaned, followed by laser processing, back grinding, and doping. Afterward, the chip undergoes exposure, vapor deposition, etching, and more to create high-quality MOSFETs. Product Packaging and Testing Finished products need to undergo appropriate packaging and testing. The IXFN80N50Q3 MOSFET comes in a TO-247 package and undergoes thorough quality testing to ensure top-quality performance. Conclusion In conclusion, the IXFN80N50Q3 MOSFET is a robust and powerful discreet semiconductor product that caters to high-power applications. With its low RDS(on) value, high thermal performance, accuracy, efficiency, and temperature range, the device is ideal for industrial equipment, power supplies, motor drives, and welding machines. To ensure top-quality performance, IXFN80N50Q3 MOSFETS undergo a rigorous and complex manufacturing process and packaging and testing. Choose the IXFN80N50Q3 MOSFET for the best performance in high-power applications.

Możesz być zainteresowanym także tym: