它被稱為MAX32670，是基於帶浮點單元的Arm Cortex-M4構建的，並且該EEC能夠進行單錯誤糾正和雙錯誤檢測。
Maxim說：“在許多工業和物聯網應用中，高能粒子和其他環境挑戰帶來了在正常操作過程中轟炸內存並產生比特翻轉的危險，尤其是當工藝節點降至40nm或更低時。” “為防止災難性後果，MAX32670保護了其整個存儲器空間– 384kb閃存和具有ECC的128kb RAM。借助ECC，硬件可以檢測到並糾正單位錯誤，從而使位翻轉錯誤難以對應用程序產生負面影響。”
包括安全啟動和加密硬件。
內核電源為雙電源或單電源– 0.9 – 1.1V，可通過內部LDO從1.70V至3.6V供電。
該公司還聲稱可以通過閃存以40µW / MHz的低功耗運行。
清單是：
- 在0.9V至12MHz時有效44µA / MHz
- 50µA / MHz在1.1V至100MHz時有效
- 2.6µA存儲器保留功率備份至1.8V
- 350nA RTC在1.8V
振盪器選項包括：
- 內部高速（100MHz）
- 內部低功率（7.3728MHz）
- 內部超低功耗（80kHz）
- 14MHz至32MHz外部晶振
- 32.768kHz外部晶體
封裝很小：1.8 x 2.6mm WLP或5 x 5mm TQFN。
提供評估板（MAX32670EVKIT＃，上圖）。
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