اختر بلدك أو منطقتك.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
قد تكون الصورة تمثيل.
انظر المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

IXFN80N50

Stock Available السعر المرجعي (بالدولار الأمريكي)
1+
$47.04
10+
$44.19
100+
$39.63
الصانع رقم القطعة:
IXFN80N50
الصانع / العلامة التجارية
IXYS
جزء من الوصف:
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
جداول البيانات:
IXFN80N50(1).pdfIXFN80N50(2).pdf
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
حالة المخزون:
جديد الأصلي ، متاح الأوراق المالية.
شحن من:
Hong Kong
طريقة الشحن:
DHL/Fedex/TNT/UPS

التحقيق عبر الإنترنت

يرجى ملء جميع الحقول المطلوبة مع معلومات الاتصال الخاصة بك. انقر "تقديم الطلب"سنتصل بك قريبًا عبر البريد الإلكتروني. أو راسلنا عبر البريد الإلكتروني: info@modules-igbt.com
رقم القطعة
الصانع
تتطلب الكمية
السعر المستهدف(USD)
اسم الشركة
اسم جهة الاتصال
البريد الإلكتروني
هاتف
رسالة
يرجى إدخال رمز التحقق والنقر على "إرسال"
رقم القطعة IXFN80N50
الصانع / العلامة التجارية IXYS
الفئة منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة
وصف MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: RoHS Compliant
VGS (ال) (ماكس) @ إيد 4.5V @ 8mA
فغس (ماكس) ±20V
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة SOT-227B
سلسلة HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS 55mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس) 700W (Tc)
حزمة / كيس SOT-227-4, miniBLOC
طَرد Tube
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع Chassis Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس 9890 pF @ 25 V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس 380 nC @ 10 V
نوع FET N-Channel
FET الميزة -
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) 500 V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C 66A (Tc)
رقم المنتج الأساسي IXFN80

التعبئة والتغليف

نحن نقدم أعلى جودة ، معظم التعبئة والتغليف واقي ثابت درع المتاحة. بفضل شفافية الإضاءة بنسبة 40٪ ، فإنه يتيح سهولة التعرف على الدوائر المتكاملة (IC) (الدوائر المتكاملة) و PCB (لوحات الدوائر المطبوعة). يوفر التراكب المعدنية المدفونة المتينة للغاية أداء FaradayCage اللازم لحماية هذه المكونات بشكل فعال ضد الشحن الثابت.

جميع المنتجات سوف التعبئة في مكافحة ساكنة. السفينة مع حماية البيئة والتنمية المستدامة الاستاتيكيه.
سيستخدم lable التعبئة خارج ESD معلومات الشركة الخاصة بنا: Mumber Part، Brand and Quantity.
سوف نقوم بفحص جميع البضائع قبل الشحن ، وضمان جميع المنتجات في حالة جيدة ، والتأكد من أن الأجزاء هي ورقة بيانات originalmatch جديدة.
بعد جميع السلع هي ضمان عدم وجود مشاكل بعد الحزم ، ونحن سوف التعبئة بأمان وإرسال بواسطة صريحة العالمية. إنها تعرض ثقب ممتاز ومقاومة المسيل للدموع جنبا إلى جنب مع سلامة ختم جيدة.
يمكننا تقديم خدمة التوصيل السريع في جميع أنحاء العالم ، مثل DHLor FedEx أو TNT أو UPS أو وكيل شحن آخر للشحن.

شحنة العالمية بواسطة dhl / فيديكس / tnt / ups

رسوم الشحن مرجع دي إتش إل / فيديكس
1). يمكنك تقديم حساب التسليم السريع الخاص بك للشحن ، إذا لم يكن لديك أي حساب صريح للشحن ، فيمكننا تقديم حسابنا دون مقابل.
2). استخدم حسابنا للشحن ورسوم الشحن (المرجع DHL / FedEx ، الدول المختلفة لها سعر مختلف.)
رسوم الشحن : (المرجع DHL وفيديكس)
الوزن (كلغ): 0.00kg - 1.00kg السعر (دولار أمريكي): 60.00 دولار أمريكي
الوزن (كلغ): 1.00kg - 2.00kg السعر (دولار أمريكي): 80 دولار أمريكي
* سعر التكلفة هو المرجع مع شركة دي إتش إل / فيديكس. رسوم التفاصيل ، يرجى الاتصال بنا. بلد مختلف رسوم صريحة مختلفة.



IXFN80N50 تفاصيل المنتج:

Title: The Comprehensive Guide to IXFN80N50 Discrete Semiconductor Products - Transistors for High-Voltage Applications IXFN80N50 is a powerful discrete semiconductor product that belongs to the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Module category. With its advanced features and performance parameters, this transistor is ideally suited for numerous high-voltage applications. In this article, we will dive deep into the technicalities, manufacturing process, and uses of this exceptional product to give you the comprehensive guide to IXFN80N50. Main Features and Performance Parameters With a single transistor construction, IXFN80N50 boasts an exceptional output voltage of 500V and a remarkable current of 80A. This transistor ensures excellent efficiency, thanks to its advanced accuracy and a wide temperature range. Another notable feature of this transistor is its Ugs value, which stands at ±40V. All these attributes make IXFN80N50 an ideal device for a diverse array of high-voltage applications. Application Scenarios and Usage IXFN80N50 is ideal for a wide range of electronic devices and industries. You can use it in power supplies for communication equipment, industrial control systems, and power switching applications. It's also perfect for use in uninterruptable power supplies, DC-AC inverters, motor drives, and welding equipment. This transistor's superior capabilities make it ideal for specific applications such as Class-D audio amplifiers, high-frequency switching applications, and low voltage motor drivers. Types of Integrated Circuits It's essential to understand the different types of integrated circuits like digital, analog, mixed-signal, and radiofrequency. While IXFN80N50 is a single MOSFET transistor module, its advanced features rely on these different types of integrated circuits. Manufacturing Process The manufacturing process for IXFN80N50 is complex and entails chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, and etching. The finished product must go through appropriate packaging and testing to ensure the component's quality. Conclusion IXFN80N50 is an impressive transistor that provides remarkable power, efficiency, and reliability. Its exceptional features make it the best component to use in high-voltage applications. By keeping the above information in mind, you can better understand how to select and use IXFN80N50 in your specific electronic or industrial application.

قد تكون أيضا مهتما ب: