اختر بلدك أو منطقتك.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
قد تكون الصورة تمثيل.
انظر المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

IXFN80N50Q2

الصانع رقم القطعة:
IXFN80N50Q2
الصانع / العلامة التجارية
IXYS
جزء من الوصف:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
جداول البيانات:
IXFN80N50Q2.pdf
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
حالة المخزون:
جديد الأصلي ، متاح الأوراق المالية.
شحن من:
Hong Kong
طريقة الشحن:
DHL/Fedex/TNT/UPS

التحقيق عبر الإنترنت

يرجى ملء جميع الحقول المطلوبة مع معلومات الاتصال الخاصة بك. انقر "تقديم الطلب"سنتصل بك قريبًا عبر البريد الإلكتروني. أو راسلنا عبر البريد الإلكتروني: info@modules-igbt.com
رقم القطعة
الصانع
تتطلب الكمية
السعر المستهدف(USD)
اسم الشركة
اسم جهة الاتصال
البريد الإلكتروني
هاتف
رسالة
يرجى إدخال رمز التحقق والنقر على "إرسال"
رقم القطعة IXFN80N50Q2
الصانع / العلامة التجارية IXYS
الفئة منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة
وصف MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: RoHS Compliant
VGS (ال) (ماكس) @ إيد 4.5V @ 8mA
فغس (ماكس) ±30V
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة SOT-227B
سلسلة HiPerFET™, Q2 Class
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS 60mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس) 890W (Tc)
حزمة / كيس SOT-227-4, miniBLOC
طَرد Tube
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع Chassis Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس 12800 pF @ 25 V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس 250 nC @ 10 V
نوع FET N-Channel
FET الميزة -
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) 500 V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C 72A (Tc)
رقم المنتج الأساسي IXFN80

التعبئة والتغليف

نحن نقدم أعلى جودة ، معظم التعبئة والتغليف واقي ثابت درع المتاحة. بفضل شفافية الإضاءة بنسبة 40٪ ، فإنه يتيح سهولة التعرف على الدوائر المتكاملة (IC) (الدوائر المتكاملة) و PCB (لوحات الدوائر المطبوعة). يوفر التراكب المعدنية المدفونة المتينة للغاية أداء FaradayCage اللازم لحماية هذه المكونات بشكل فعال ضد الشحن الثابت.

جميع المنتجات سوف التعبئة في مكافحة ساكنة. السفينة مع حماية البيئة والتنمية المستدامة الاستاتيكيه.
سيستخدم lable التعبئة خارج ESD معلومات الشركة الخاصة بنا: Mumber Part، Brand and Quantity.
سوف نقوم بفحص جميع البضائع قبل الشحن ، وضمان جميع المنتجات في حالة جيدة ، والتأكد من أن الأجزاء هي ورقة بيانات originalmatch جديدة.
بعد جميع السلع هي ضمان عدم وجود مشاكل بعد الحزم ، ونحن سوف التعبئة بأمان وإرسال بواسطة صريحة العالمية. إنها تعرض ثقب ممتاز ومقاومة المسيل للدموع جنبا إلى جنب مع سلامة ختم جيدة.
يمكننا تقديم خدمة التوصيل السريع في جميع أنحاء العالم ، مثل DHLor FedEx أو TNT أو UPS أو وكيل شحن آخر للشحن.

شحنة العالمية بواسطة dhl / فيديكس / tnt / ups

رسوم الشحن مرجع دي إتش إل / فيديكس
1). يمكنك تقديم حساب التسليم السريع الخاص بك للشحن ، إذا لم يكن لديك أي حساب صريح للشحن ، فيمكننا تقديم حسابنا دون مقابل.
2). استخدم حسابنا للشحن ورسوم الشحن (المرجع DHL / FedEx ، الدول المختلفة لها سعر مختلف.)
رسوم الشحن : (المرجع DHL وفيديكس)
الوزن (كلغ): 0.00kg - 1.00kg السعر (دولار أمريكي): 60.00 دولار أمريكي
الوزن (كلغ): 1.00kg - 2.00kg السعر (دولار أمريكي): 80 دولار أمريكي
* سعر التكلفة هو المرجع مع شركة دي إتش إل / فيديكس. رسوم التفاصيل ، يرجى الاتصال بنا. بلد مختلف رسوم صريحة مختلفة.



IXFN80N50Q2 تفاصيل المنتج:

IXFN80N50Q2: An Overview of this High-Power MOSFET The IXFN80N50Q2 is a high-power N-channel MOSFET that belongs to the Discrete Semiconductor Products category of MOSFETs. With its outstanding performance, it has quickly become a popular choice for professionals working across a wide range of industries. In this article, we'll delve deeper into the features and applications of this powerful device. Key Features and Performance Parameters The IXFN80N50Q2 boasts an output voltage of 500V and a maximum continuous drain current of 72A. This impressive power rating makes it ideal for use in high-power applications that require reliable and efficient performance. In addition, this MOSFET has a low Rds(on) rating, which means it has a minimal power dissipation and low thermal resistance. Application Scenarios and Usage Given its exceptional performance, the IXFN80N50Q2 can be used in a wide range of electronic devices and industries. It is commonly utilized in applications such as power supplies, switching regulators, motor control circuits, and inverters. Furthermore, it is an ideal choice for high-power amplifiers that require high-frequency response. Types of Integrated Circuits The IXFN80N50Q2 is a digital integrated circuit that utilizes MOSFET technology. Digital circuits operate on binary signals, whereas analog circuits operate on continuous signals. Mixed-signal circuits combine both analog and digital circuits, while RF circuits operate at radio frequencies. Manufacturing Process The manufacturing process of this MOSFET involves several stages, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. This complex manufacturing process ensures that the device is consistent, reliable, and efficient. Packaging and Testing To ensure the quality and reliability of the finished product, the IXFN80N50Q2 undergoes appropriate packaging and testing. This ensures that the component is free from defects and operates reliably in its intended application. In conclusion, the IXFN80N50Q2 is a high-power MOSFET that delivers exceptional performance across a wide range of applications. With its low R_DS(on), high power rating, and reliable manufacturing process, it's no wonder why it has quickly become a go-to choice for professionals across a range of industries.

قد تكون أيضا مهتما ب: