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IXFN80N50Q2

제조사 제품 모델:
IXFN80N50Q2
제조업체 / 브랜드
IXYS
설명의 일부:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
사양서:
IXFN80N50Q2.pdf
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
재고 상태:
새로운 원본, 재고 있음.
에서 운송된다:
Hong Kong
선적 방법:
DHL/Fedex/TNT/UPS

온라인 문의

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제품 모델 IXFN80N50Q2
제조업체 / 브랜드 IXYS
범주 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글
기술 MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
무연 여부 / RoHS 준수 여부: RoHS Compliant
아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 8mA
Vgs (최대) ±30V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-227B
연속 HiPerFET™, Q2 Class
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 60mOhm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대) 890W (Tc)
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
패키지 Tube
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12800 pF @ 25 V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 250 nC @ 10 V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 500 V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A (Tc)
기본 제품 번호 IXFN80

포장

우리는 최고 품질의 경제적 인 가격의 정적 차폐 포장을 제공합니다. 40 %의 빛 투과율로 IC (집적 회로) 및 PCB (인쇄 회로 기판)를 쉽게 식별 할 수 있습니다. 매우 내구성있는 매장 금속 장식으로 정전기를 효과적으로 차단하는 데 필요한 FaradayCage 성능을 제공합니다.

모든 제품은 정전기 방지 백으로 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 제공하십시오.
외부 ESD 포장의 lable은 부품 회사의 정보 (부품 수, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 물품을 검사하고 모든 제품을 양호한 상태로 유지하며 부품이 새로운 원본 조달 데이터 시트인지 확인합니다.
모든 제품이 포장 후 문제가 없는지 확인한 후, 우리는 안전하게 포장하고 글로벌 익스프레스로 보낼 것입니다. 그것은 밀봉 성이 양호하고 꿰 뚫음 저항성이 우수합니다.
DHL 또는 FedEx 또는 TNT 또는 UPS 또는 선적을위한 다른 운송 업체와 같은 전세계 특송 서비스를 제공 할 수 있습니다.

DHL / FedEx / TNT / UPS의 글로벌 발송

배송비 참조 DHL / FedEx
1). 배송을위한 특송 계정이 없다면 신속한 배송 계정을 제공 할 수 있습니다.
2). 발송물, 발송 비용 (참조 DHL / FedEx, 국가마다 가격이 다릅니다.)
배송료 : (참조 DHL 및 FedEX)
무게 (KG) : 0.00kg-1.00kg 가격 (USD $) : USD $ 60.00
무게 (KG) : 1.00kg-2.00kg 가격 (USD $) : USD $ 80.00
* 비용은 DHL / FedEx를 참조하십시오. 세부 요금은 문의하십시오. 특급 요금이 다른 나라.



IXFN80N50Q2 제품 상세 정보:

IXFN80N50Q2: An Overview of this High-Power MOSFET The IXFN80N50Q2 is a high-power N-channel MOSFET that belongs to the Discrete Semiconductor Products category of MOSFETs. With its outstanding performance, it has quickly become a popular choice for professionals working across a wide range of industries. In this article, we'll delve deeper into the features and applications of this powerful device. Key Features and Performance Parameters The IXFN80N50Q2 boasts an output voltage of 500V and a maximum continuous drain current of 72A. This impressive power rating makes it ideal for use in high-power applications that require reliable and efficient performance. In addition, this MOSFET has a low Rds(on) rating, which means it has a minimal power dissipation and low thermal resistance. Application Scenarios and Usage Given its exceptional performance, the IXFN80N50Q2 can be used in a wide range of electronic devices and industries. It is commonly utilized in applications such as power supplies, switching regulators, motor control circuits, and inverters. Furthermore, it is an ideal choice for high-power amplifiers that require high-frequency response. Types of Integrated Circuits The IXFN80N50Q2 is a digital integrated circuit that utilizes MOSFET technology. Digital circuits operate on binary signals, whereas analog circuits operate on continuous signals. Mixed-signal circuits combine both analog and digital circuits, while RF circuits operate at radio frequencies. Manufacturing Process The manufacturing process of this MOSFET involves several stages, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. This complex manufacturing process ensures that the device is consistent, reliable, and efficient. Packaging and Testing To ensure the quality and reliability of the finished product, the IXFN80N50Q2 undergoes appropriate packaging and testing. This ensures that the component is free from defects and operates reliably in its intended application. In conclusion, the IXFN80N50Q2 is a high-power MOSFET that delivers exceptional performance across a wide range of applications. With its low R_DS(on), high power rating, and reliable manufacturing process, it's no wonder why it has quickly become a go-to choice for professionals across a range of industries.

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