Pasirinkite savo šalį ar regioną.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Vaizdas gali būti atstovavimas.
Žr. Detalių specifikacijas.

IXFN80N50Q2

Gamintojas Dalies numeris:
IXFN80N50Q2
Gamintojas / Gamintojas
IXYS
Dalis aprašymo:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Duomenų lapai:
IXFN80N50Q2.pdf
"Lead Free Status / RoHS" statusas:
Atsargų būklė:
Naujas originalas, turimos prekės.
Laivas iš:
Hong Kong
Siuntimo kelias:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Užklausa internete

Užpildykite visus būtinus laukus nurodydami savo kontaktinę informaciją.Spustelėkite „PATEIKTI PRAŠYMĄ"greitai su jumis susisieksime el. paštu. Arba el. paštu: info@modules-igbt.com
Dalies numeris
Gamintojas
Reikalauti kiekio
Tikslinė kaina(USD)
Įmonės pavadinimas
Kontaktinis vardas
El. Paštas
Telefonas
Pranešimas
Įveskite patvirtinimo kodą ir spustelėkite „Pateikti“
Dalies numeris IXFN80N50Q2
Gamintojas / Gamintojas IXYS
Kategorija Diskretiniai puslaidininkiniai gaminiai > Tranzistoriai - FETS, MOSFETS - pavieniai
apibūdinimas MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
"Lead Free Status / RoHS" statusas: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Vgs (maks.) ±30V
Technologija MOSFET (Metal Oxide)
Tiekėjo prietaisų paketas SOT-227B
Serija HiPerFET™, Q2 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V
Maitinimo pasipriešinimas (maks.) 890W (Tc)
Paketas / dėžutė SOT-227-4, miniBLOC
Paketas Tube
Darbinė temperatūra -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas Chassis Mount
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds 12800 pF @ 25 V
Vartai (Qg) (maks.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
FET tipas N-Channel
FET funkcija -
Važiavimo įtampa (maks. RDS, min. RDS) 10V
Išleidimo į šaltinio įtampą (Vdss) 500 V
Dabartinis - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 ° C 72A (Tc)
Bazinis produkto numeris IXFN80

Pakuotė

Mes siūlome aukščiausios kokybės, ekonomiškai pagrįstą statinio skydo pakuotę. 40% šviesos skaidrumas, pasvirasis šriftas, leidžiantis lengvai identifikuoti IC (integruotas grandines) ir PCB (atspausdintas grandines). Ypač patvarus palaidoto metalo konstrukcija suteikia „FaradayCage“ veikimą, reikalingą veiksmingai apsaugoti šiuos komponentus nuo statinio krūvio.

Visi produktai bus supakuoti į antistatinius krepšius. Siunčiama su ESD antistatine apsauga.
Išoriniame ESD pakuotės ženklelyje bus naudojama mūsų įmonės informacija: dalies žymėjimas, prekės ženklas ir kiekis.
Mes patikrinsime visas prekes prieš išsiunčiant jas, įsitikinsime, kad visi produktai yra geros būklės ir ar dalys yra naujos originalių duomenų lentelės.
Po to, kai visos prekės užtikrins, kad nekiltų jokių problemų po pakavimo, mes supakuosime saugiai ir išsiųsime pasauliniu greituoju paštu. Jis pasižymi puikiu atsparumu pradūrimui ir atsparumui įbrėžimams bei gerą sandariklio vientisumą.
Mes galime pasiūlyti skubių siuntų pristatymo visame pasaulyje paslaugas, tokias kaip „DHLor FedEx“, „TNT“ arba „UPS“ ar kitą ekspeditorių, skirtą gabenti.

DHL / FedEx / TNT / UPS visuotinis vežimas

Pristatymo mokesčių nuoroda DHL / FedEx
1). Galite pasiūlyti savo greitojo pristatymo sąskaitą siuntimui, jei neturite jokios aiškios siuntimo sąskaitos, mes galime pasiūlyti savo sąskaitą iš anksto.
2). Naudokite mūsų sąskaitą siuntimui, siuntimo mokesčiams (nuoroda DHL / FedEx, skirtingos šalys turi skirtingą kainą.)
Siuntimo mokesčiai : (DHL ir FedEX nuorodos)
Svoris (KG): 0,00 kg – 1,00 kg Kaina (USD): 60,00 USD
Svoris (KG): 1,00–2,00 kg Kaina (USD): 80,00 USD
* Kaina nurodyta su DHL / FedEx. Dėl detalių mokesčių, susisiekite su mumis. Skirtingose ​​šalyse greiti mokesčiai yra skirtingi.



IXFN80N50Q2 Produkto Aprašymas:

IXFN80N50Q2: An Overview of this High-Power MOSFET The IXFN80N50Q2 is a high-power N-channel MOSFET that belongs to the Discrete Semiconductor Products category of MOSFETs. With its outstanding performance, it has quickly become a popular choice for professionals working across a wide range of industries. In this article, we'll delve deeper into the features and applications of this powerful device. Key Features and Performance Parameters The IXFN80N50Q2 boasts an output voltage of 500V and a maximum continuous drain current of 72A. This impressive power rating makes it ideal for use in high-power applications that require reliable and efficient performance. In addition, this MOSFET has a low Rds(on) rating, which means it has a minimal power dissipation and low thermal resistance. Application Scenarios and Usage Given its exceptional performance, the IXFN80N50Q2 can be used in a wide range of electronic devices and industries. It is commonly utilized in applications such as power supplies, switching regulators, motor control circuits, and inverters. Furthermore, it is an ideal choice for high-power amplifiers that require high-frequency response. Types of Integrated Circuits The IXFN80N50Q2 is a digital integrated circuit that utilizes MOSFET technology. Digital circuits operate on binary signals, whereas analog circuits operate on continuous signals. Mixed-signal circuits combine both analog and digital circuits, while RF circuits operate at radio frequencies. Manufacturing Process The manufacturing process of this MOSFET involves several stages, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. This complex manufacturing process ensures that the device is consistent, reliable, and efficient. Packaging and Testing To ensure the quality and reliability of the finished product, the IXFN80N50Q2 undergoes appropriate packaging and testing. This ensures that the component is free from defects and operates reliably in its intended application. In conclusion, the IXFN80N50Q2 is a high-power MOSFET that delivers exceptional performance across a wide range of applications. With its low R_DS(on), high power rating, and reliable manufacturing process, it's no wonder why it has quickly become a go-to choice for professionals across a range of industries.

Jus taip pat gali dominti: