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More-on: U pacchettu di Mosfet di u Fonte di l'infineo

Infineon Source down mosfet

À fiancu à l'annunziu di u partitu hà liberatu un diagramma è i so motivi per ciò chì hà fattu.

U mosfet di fonte hè in diritta, è u dispusitivu più cunvinziunale à manca.


Sicondu l'infineon:



U pacchettu di u surghjente (1) hè esternamente u listessu cum'è u (2) Drain di drenaggio di Down-Down di 3,3MM di 6 3.3MM

Internamente, i morti in l'ultima mosfet di drena di l'infineo (3) hà una zona di mori attivi chì u novu fonte di u mosfet di fonte di a fonte (4) cum'è a custruzione di fonte caccià a necessità di un cuntattu di gate di cuntattu.

Mentre u Clip Drain Raper (5) hà da evità u filu di u bond, u clip di u ramu di fonte (6) Pò esse più largu, diminuite a resistenza termica, chì ùn ci hè micca un filu di ligame per evità.

Infineon centre-gate source-down footprintU pacchettu di fonte (7) Disponibile ancu cù u "Purtaghju centru" (manca) chì aumenta a distanza di scossa di fonte è di facilità di facilità quandu parallela.

A pagina di u produttu di u produttu di u produttu di l'infineu hè quì - scorre per una lista di i dispositi.