除了零件公告旁邊，它發布了一個圖表及其原因。
源DOUND MOSFET位於右側，左側的更傳統的設備。
根據英飛凌：
源 - 下封裝（1）外部與（2）傳統的排水管3.3 x 3.3mm PQFP封裝。
內部，在英飛凌最新排水MOSFET中的死亡（3.）具有較少的積極模具區域，即新的源掉MOSFET模具（4.）由於源阻止施工消除了柵極接觸切口的需求。
漏水銅夾（5.）必須避免粘合線，源向下銅夾（6.）可以更寬，降低熱阻，因為沒有粘合線來避免。
源頭封裝（7.）也可提供“中心門”腳印（剩下）增加源 - 漏極爬電距離並在平行時輕鬆佈局。
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