Pilih negara atau wilayah Anda.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
IXYS
IXFT30N50 ImageLihat gambar yang lebih besar
Gambar mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

IXFT30N50

Pabrikan Nomor bagian:
IXFT30N50
Produsen / Merek
IXYS
Bagian dari deskripsi:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Lembar data:
Memimpin Status Bebas / Status RoHS:
Kondisi Stok:
Baru asli, Stok Tersedia.
Dikirim dari:
Hong Kong
Cara Pengiriman:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Kirim Online

Silakan lengkapi semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "PERMINTAAN PERMINTAAN"kami akan segera menghubungi Anda melalui email. Atau Email kami: info@modules-igbt.com
Nomor bagian
Pabrikan
Memerlukan Kuantitas
Target harga(USD)
Nama Perusahaan
Nama Kontak
E-mail
Telepon
Pesan
Silakan masukkan Kode Verifikasi dan klik "Kirim"
Nomor bagian IXFT30N50
Produsen / Merek IXYS
Kategori Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Deskripsi MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Memimpin Status Bebas / Status RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V
Teknologi MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok TO-268AA
Seri HiPerFET™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 15A, 10V
Power Disipasi (Max) 360W (Tc)
Paket / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kemasan Tube
Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis Surface Mount
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
FET Jenis N-Channel
Fitur FET -
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif) 10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Nomor produk dasar IXFT30

Pengemasan

Kami menawarkan kualitas terbaik, kemasan perisai statis yang paling ekonomis tersedia. Dengan transparansi cahaya 40%, memungkinkan identifikasi mudah dari IC (sirkuit terpadu) dan PCB (papan sirkuit tercetak). Konstruksi logam terkubur yang sangat tahan lama memberi FaradayCage kinerja yang diperlukan untuk melindungi komponen ini secara efektif terhadap biaya statis.

Semua produk akan dikemas dalam kantong anti-statis. Dikirim dengan perlindungan antistatis ESD.
Label kemasan luar ESD akan menggunakan informasi perusahaan kami: Pemotong Bagian, Merek, dan Jumlah
Kami akan memeriksa semua barang sebelum pengiriman, memastikan semua produk dalam kondisi baik dan memastikan bagian-bagian datasheet originalmatch baru.
Setelah semua barang memastikan tidak ada masalah afterpacking, kami akan mengepak dengan aman dan mengirim dengan global express. Ini menunjukkan tusukan yang sangat baik dan ketahanan sobek bersama dengan integritas segel yang baik.
Kami dapat menawarkan layanan pengiriman ekspres ke seluruh dunia, seperti DHL atau FedEx atau TNT atau UPS atau pengirim lainnya untuk pengiriman.

Pengiriman Global melalui DHL / FedEx / TNT / UPS

Referensi Biaya Pengiriman DHL / FedEx
1). Anda dapat menawarkan akun pengiriman ekspres untuk pengiriman, jika Anda tidak memiliki akun ekspres untuk pengiriman, kami dapat menawarkan kekurangan akun kami.
2). Gunakan akun kami untuk pengiriman, biaya pengiriman (Referensi DHL / FedEx, Negara yang berbeda memiliki harga yang berbeda.)
Biaya pengiriman : (Referensi DHL dan FedEX)
Berat (KG): 0,00kg-1,00kg Harga (USD $): USD $ 60.00
Berat (KG): 1.00kg - 2.00kg Harga (USD $): USD $ 80,00
* Harga biaya mengacu pada DHL / FedEx. Biaya detail, silakan hubungi kami. Negara yang berbeda biaya ekspres berbeda.



IXFT30N50 Rincian Produk:

Title: All You Need to Know about IXFT30N50 MOSFET Transistors for Your Electronic Devices When it comes to electronic devices, the right components can make all the difference. One such component is the IXFT30N50 MOSFET transistor, a discrete semiconductor product that provides reliable and efficient power control for a wide range of applications. In this article, we'll take an in-depth look at IXFT30N50, its features, performance parameters, application scenarios, usage, and manufacturing process to help you understand how it can benefit your electronic devices. Features and Performance Parameters: The IXFT30N50 MOSFET transistor is a single N-channel MOSFET with a 500V voltage and 30A current capacity. Its TO268 package is designed for easy mounting and high thermal performance. The transistor also boasts several features that make it ideal for power control applications, including high-speed switching, low on-resistance, and low gate charge. In terms of performance parameters, the IXFT30N50 MOSFET transistor has an accuracy of +/-20V, efficiency of >90%, and a temperature range of -55°C to 175°C. Application Scenarios and Usage: The IXFT30N50 MOSFET transistor is widely used in power control applications across various industries such as telecommunications, computing, automotive, and industrial automation. It can be utilized in applications such as DC/DC converters, motor control, lighting systems, and more. The transistor's ruggedness, high voltage capability, and low on-resistance make it an excellent choice for high-frequency power switching circuits in these applications. Different Types of Integrated Circuits: There are several types of integrated circuits available today, including digital, analog, mixed-signal, and RF. Each type has its advantages and disadvantages, depending on the application. The IXFT30N50 MOSFET transistor is classified as a discrete semiconductor product and falls under the MOSFETs - Single category. Manufacturing Process: The IXFT30N50 MOSFET transistor undergoes a complex manufacturing process to ensure its quality and reliability. The process includes chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, vapor deposition, etching, and more. After these manufacturing steps, finished products need to undergo appropriate packaging and testing to ensure component quality. Conclusion: IXFT30N50 MOSFET transistor is an excellent choice for power control applications, and its ruggedness, high voltage capability, and low on-resistance make it a versatile component for various industries. It boasts several features, high-speed switching, low on-resistance, and low gate charge that make it ideal for DC/DC converters, motor control, lighting systems, and other high-frequency power switching circuits. Its complex manufacturing process also ensures its quality and reliability, making it an essential component for your electronic devices.

Anda Mungkin Juga Tertarik: