Ölkə və ya bölgəni seçin.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Image nümayəndəlik ola bilər.
Məhsul detallarına baxın.

IXFN90N30

İstehsalçı Hissə nömrəsi:
IXFN90N30
İstehsalçı / Marka
IXYS
Təsvirin bir hissəsi:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Datasheets:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Pulsuz Vəziyyət / RoHS Statusuna Etmək:
Fondun vəziyyəti:
Yeni orijinal, Fond mövcuddur.
Dən gəmi:
Hong Kong
Göndərmə yolu:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Sorğu Online

Zəhmət olmasa bütün tələb olunan sahələri əlaqə məlumatlarınızla doldurun.TƏKLİF SORĞU"qısa müddətdə e-poçtla sizinlə əlaqə saxlayacağıq. Və ya bizə e-poçt göndərin: info@modules-igbt.com
Hissə nömrəsi
İstehsalçı
Miqyası tələb et
Hədəf qiymət(USD)
Şirkət Adı
Əlaqə Adınız
E-poçt
Telefon
Mesaj
Xahiş edirik Kodu Doğrula və "Submit" düyməsini basın.
Hissə nömrəsi IXFN90N30
İstehsalçı / Marka IXYS
Kateqoriya Ayrık Yarımkeçirici Məhsullar > Transistorlar - FETs, MOSFETs - Single
Təsvir MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Pulsuz Vəziyyət / RoHS Statusuna Etmək: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Texnologiya MOSFET (Metal Oxide)
Təchizatçı Qurğu Paketi SOT-227B
Series HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Enerji Dissipation (Max) 560W (Tc)
Paket / Case SOT-227-4, miniBLOC
Paket Tube
Əməliyyat temperaturu -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj Tipi Chassis Mount
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qq) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
FET növü N-Channel
FET xüsusiyyətləri -
Sürücü Voltajı (Maks. Rds On, Min Rds On) 10V
Mənbə Geriliminə Verin (Vdss) 300 V
Cari - Davamlı Drain (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Əsas məhsul nömrəsi IXFN90

Qablaşdırma

Ən yüksək keyfiyyətli, iqtisadi cəhətdən qiymətləndirilən statik qalxan qablaşdırma təklif edirik. 40% işıq şəffaflığı ilə, IC (inteqrasiya edilmiş sxemlər) və PCB-lərin (çap lövhələrinin) asanlıqla eyniləşdirilməsinə imkan yaradır. Son dərəcə davamlı basdırılmış metal daralma, bu komponenetləri statik yükdən effektiv şəkildə qorumaq üçün lazım olan FaradayCage performansını təmin edir.

Bütün məhsullar anti-statik çantaya qablaşdırılacaq. ESD antistatik qorunması ilə gəmi.
ESD qablaşdırılmasının xaricində şirkətimizin məlumatları istifadə olunur: Parça Mumber, Marka və Miqdarı.
Göndərmədən əvvəl bütün malları yoxlayacağıq, bütün məhsulların yaxşı vəziyyətdə olmasını və hissələrin yeni orijinal məlumat cədvəlinin olmasını təmin edəcəyik.
Bütün mallar qablaşdırmadan sonra heç bir problem yaratmadığından, təhlükəsiz şəkildə qablaşdırırıq və qlobal ekspress ilə göndərəcəyik. Yaxşı möhür bütövlüyü ilə yanaşı, seksual ponksiyon və gözyaşardıcı müqavimət göstərir.
DHLor FedEx və ya TNT və ya UPS və ya göndərmə üçün digər ekspeditor kimi dünya miqyasında təcili çatdırılma xidmətimizi təklif edə bilərik.

DHL / FedEx / TNT / UPS tərəfindən qlobal göndərmə

Göndərmə haqqı istinad DHL / FedEx
1). Siz çatdırılma üçün təcili çatdırılma hesabınızı təklif edə bilərsiniz, əgər göndərilmə üçün hər hansı bir ekspress hesabınız yoxdursa, hesabımızı qorumaq təklif edə bilərik
2). Göndərmə, göndərmə xərcləri üçün hesabımızı istifadə edin (İstinad DHL / FedEx, Müxtəlif ölkələr fərqli qiymətə malikdir.)
Göndərmə xərcləri: (İstinad DHL və FedEX)
Çəki (KG): 0.00kg-1.00kg Qiymət (USD $): USD $ 60.00
Çəki (KG): 1.00kg-2.00kg Qiymət (USD $): USD $ 80.00
* Qiymətin qiyməti DHL / FedEx ilə əlaqədardır. Detal xərcləri, bizimlə əlaqə saxlayın. Fərqli ölkədə təcili ittihamlar fərqlidir.



IXFN90N30 Məhsul təfərrüatları:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Sizinlə də maraqlana bilər: