Виберіть свою країну чи регіон.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Зображення може бути представництвом.
Див. Специфікації для деталей виробу.

IXFN90N30

Виробник Номер частини:
IXFN90N30
Виробник / Бренд
IXYS
Частина опису:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Технічні таблиці:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Статус безкоштовного статусу / RoHS:
Статутний стан:
Новий оригінал, наявна у наявності.
Корабель від:
Hong Kong
Шлях доставки:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Запит онлайн

Заповніть усі необхідні поля зі своєю контактною інформацією. Натисніть "ЗАПИТИ ЗАПИТ"ми незабаром зв’яжемося з вами електронною поштою. Або надішліть нам електронну пошту: info@modules-igbt.com
Номер частини
Виробник
Вимагати кількість
Планова ціна(USD)
Назва компанії
Контактна Особа
Електронна пошта
Телефон
повідомлення
Введіть код перевірки та натисніть "Надіслати"
Номер частини IXFN90N30
Виробник / Бренд IXYS
Категорія Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - FETS, MOSFETS - неодружені
Опис MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Статус безкоштовного статусу / RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (Макс.) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Макс) ±20V
Технологія MOSFET (Metal Oxide)
Пакет пристрою постачальника SOT-227B
Серія HiPerFET™
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Розсіювання живлення (макс.) 560W (Tc)
Пакет / Корпус SOT-227-4, miniBLOC
Пакет Tube
Робоча температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу Chassis Mount
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
Особливість FET -
Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на) 10V
Водовідведення до джерела напруги (Vdss) 300 V
Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Базовий номер товару IXFN90

Упаковка

Ми пропонуємо найвищу якість, найбільш економічно доступну упаковку з статичним щитом. Маючи 40% прозорість світла, це дозволяє легко ідентифікувати ІС (інтегральні схеми) та друковані плати (друковані плати). Надзвичайно міцна похована металева конструкція дає продуктивність FaradayCage, необхідну для ефективного захисту цих компонентних мереж від статичного заряду.

Всі товари будуть упаковані в антистатичний пакет. Поставляється з антисептичним захистом ESD.
На етикетці упаковки зовнішньої ESD буде використана інформація нашої компанії: Частина Матеріал, Бренд та Кількість.
Ми перевіримо весь товар перед відправкою, забезпечимо всі товари в належному стані та забезпечимо деталі новими оригінальними таблицями даних.
Після того, як всі товари будуть забезпечені без проблем після упаковки, ми будемо безпечно упаковувати та відправляти глобальним експресом. Він проявляє чудовий прокол і стійкість до розриву разом з хорошою цілісністю пломби.
Ми можемо запропонувати послугу експрес-доставки по всьому світу, наприклад DHLor FedEx або TNT, UPS або інший експедитор для відвантаження.

Глобальна доставка DHL / FedEx / TNT / UPS

Довідкові збори DHL / FedEx
1). Ви можете запропонувати свій рахунок швидкої доставки для відправлення, якщо у вас немає експрес-рахунку для відправки, ми можемо запропонувати невдалий наш рахунок.
2). Використовуйте наш рахунок для відправлення, вартість доставки (Довідкова DHL / FedEx, різні країни мають різну ціну.)
Вартість доставки: (Довідкові DHL та FedEX)
Вага (кг): 0,00 кг-1,00 кг Ціна (USD $): 60,00 USD
Вага (кг): 1,00 кг-2,00 кг Ціна ($ USD): 80,00 USD
* Ціна вартості довідкова з DHL / FedEx. Детальні збори, будь ласка, зв'яжіться з нами. У різних країнах експрес-тарифи різні.



IXFN90N30 Деталі продукту:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Вас також може зацікавити: