Vyberte svoju krajinu alebo región.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Obraz môže byť reprezentovaný.
Pozri špecifikácie pre podrobnosti o produkte.

IXFN90N30

Výrobca Číslo dielu:
IXFN90N30
Výrobca / značka
IXYS
Časť popisu:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
listoch:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Stav voľného vodiča / RoHS:
Stav zásob:
Nový originál, skladom k dispozícii.
Odoslať z:
Hong Kong
Cesta zásielky:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Dotaz online

Vyplňte všetky povinné polia s kontaktnými údajmi.ODOSLAŤ ŽIADOSŤ"Budeme Vás kontaktovať v krátkom čase e-mailom. Alebo nám pošlite e-mail: info@modules-igbt.com
Číslo dielu
Výrobca
Požadované množstvo
Cieľová cena(USD)
meno spoločnosti
Kontaktné meno
E-mail
telefón
správa
Zadajte verifikačný kód a kliknite na tlačidlo "Odoslať"
Číslo dielu IXFN90N30
Výrobca / značka IXYS
kategórie Diskrétne polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single
popis MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Stav voľného vodiča / RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
technológie MOSFET (Metal Oxide)
Balík dodávateľov zariadení SOT-227B
séria HiPerFET™
Rds Zap (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Zníženie výkonu (Max) 560W (Tc)
Balík / puzdro SOT-227-4, miniBLOC
Balík Tube
Prevádzková teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže Chassis Mount
Vstupná kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Nabíjanie brány (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel
Funkcia FET -
Napätie pohonu (maximálne RDS zapnuté, min. Rds zapnuté) 10V
Vypustite na zdrojové napätie (Vdss) 300 V
Súčasný kontinuálny odtok (Id) pri 25 ° C 90A (Tc)
Základné číslo produktu IXFN90

obal

Ponúkame najkvalitnejšie, najhospodárnejšie balenie statických štítov. So svetelnou transparentnosťou 40%, itallows pre ľahkú identifikáciu integrovaných obvodov a dosiek plošných spojov. Extrémne odolná kovová konštrukcia v podzemí dáva FaradayCage potrebnú výkonnosť, aby účinne chránila tieto komponenty pred statickým nábojom.

Všetky výrobky budú balené v antistatickom vaku. Dodávajte s antistatickou ochranou ESD.
Mimo ESD balenie bude používať informácie našej spoločnosti: Part Mumber, Brand a Quantity.
Budeme kontrolovať všetok tovar pred odoslaním, zaistiť všetky výrobky v dobrom stave a zabezpečiť, aby diely boli nové originálne listy.
Po tom, čo všetok tovar zaistí žiadne problémy po zabalení, budeme bezpečne baliť a posielať globálnym expresom. Vykazuje vynikajúcu odolnosť proti prepichnutiu a roztrhnutiu spolu s dobrou integritou tesnenia.
Môžeme Vám ponúknuť expresnú službu na celom svete, napríklad DHLor FedEx alebo TNT alebo UPS alebo iného zasielateľa na prepravu.

Globálna zásielka prostredníctvom DHL / FedEx / TNT / UPS

Prepravné poplatky odkazujú na DHL / FedEx
1). Môžete ponúknuť svoj expresný doručovací účet pre zásielku, ak pre prepravu nemáte žiadny expresný účet, môžeme ponúknuť náš účet inanceance.
2). Použite náš účet pre zásielky, Zásielky (Referenčné DHL / FedEx, Rôzne krajiny majú inú cenu.)
Poplatky za prepravu : (Referenčné DHL a FedEX)
Hmotnosť (KG): 0,00 kg-1,00 kg Cena (USD $): USD $ 60.00
Hmotnosť (KG): 1,00 kg-2,00 kg Cena (USD $): USD $ 80.00
* Cena nákladov je odkaz na DHL / FedEx. Podrobné poplatky nás prosím kontaktujte. Odlišné poplatky sú odlišné.



IXFN90N30 Detaily produktu:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Môže vás tiež zaujímať: