اختر بلدك أو منطقتك.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
قد تكون الصورة تمثيل.
انظر المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

IXFN90N30

الصانع رقم القطعة:
IXFN90N30
الصانع / العلامة التجارية
IXYS
جزء من الوصف:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
جداول البيانات:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
حالة المخزون:
جديد الأصلي ، متاح الأوراق المالية.
شحن من:
Hong Kong
طريقة الشحن:
DHL/Fedex/TNT/UPS

التحقيق عبر الإنترنت

يرجى ملء جميع الحقول المطلوبة مع معلومات الاتصال الخاصة بك. انقر "تقديم الطلب"سنتصل بك قريبًا عبر البريد الإلكتروني. أو راسلنا عبر البريد الإلكتروني: info@modules-igbt.com
رقم القطعة
الصانع
تتطلب الكمية
السعر المستهدف(USD)
اسم الشركة
اسم جهة الاتصال
البريد الإلكتروني
هاتف
رسالة
يرجى إدخال رمز التحقق والنقر على "إرسال"
رقم القطعة IXFN90N30
الصانع / العلامة التجارية IXYS
الفئة منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة
وصف MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة: RoHS Compliant
VGS (ال) (ماكس) @ إيد 4V @ 8mA
فغس (ماكس) ±20V
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة SOT-227B
سلسلة HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS 33mOhm @ 45A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس) 560W (Tc)
حزمة / كيس SOT-227-4, miniBLOC
طَرد Tube
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع Chassis Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس 10000 pF @ 25 V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس 360 nC @ 10 V
نوع FET N-Channel
FET الميزة -
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) 300 V
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C 90A (Tc)
رقم المنتج الأساسي IXFN90

التعبئة والتغليف

نحن نقدم أعلى جودة ، معظم التعبئة والتغليف واقي ثابت درع المتاحة. بفضل شفافية الإضاءة بنسبة 40٪ ، فإنه يتيح سهولة التعرف على الدوائر المتكاملة (IC) (الدوائر المتكاملة) و PCB (لوحات الدوائر المطبوعة). يوفر التراكب المعدنية المدفونة المتينة للغاية أداء FaradayCage اللازم لحماية هذه المكونات بشكل فعال ضد الشحن الثابت.

جميع المنتجات سوف التعبئة في مكافحة ساكنة. السفينة مع حماية البيئة والتنمية المستدامة الاستاتيكيه.
سيستخدم lable التعبئة خارج ESD معلومات الشركة الخاصة بنا: Mumber Part، Brand and Quantity.
سوف نقوم بفحص جميع البضائع قبل الشحن ، وضمان جميع المنتجات في حالة جيدة ، والتأكد من أن الأجزاء هي ورقة بيانات originalmatch جديدة.
بعد جميع السلع هي ضمان عدم وجود مشاكل بعد الحزم ، ونحن سوف التعبئة بأمان وإرسال بواسطة صريحة العالمية. إنها تعرض ثقب ممتاز ومقاومة المسيل للدموع جنبا إلى جنب مع سلامة ختم جيدة.
يمكننا تقديم خدمة التوصيل السريع في جميع أنحاء العالم ، مثل DHLor FedEx أو TNT أو UPS أو وكيل شحن آخر للشحن.

شحنة العالمية بواسطة dhl / فيديكس / tnt / ups

رسوم الشحن مرجع دي إتش إل / فيديكس
1). يمكنك تقديم حساب التسليم السريع الخاص بك للشحن ، إذا لم يكن لديك أي حساب صريح للشحن ، فيمكننا تقديم حسابنا دون مقابل.
2). استخدم حسابنا للشحن ورسوم الشحن (المرجع DHL / FedEx ، الدول المختلفة لها سعر مختلف.)
رسوم الشحن : (المرجع DHL وفيديكس)
الوزن (كلغ): 0.00kg - 1.00kg السعر (دولار أمريكي): 60.00 دولار أمريكي
الوزن (كلغ): 1.00kg - 2.00kg السعر (دولار أمريكي): 80 دولار أمريكي
* سعر التكلفة هو المرجع مع شركة دي إتش إل / فيديكس. رسوم التفاصيل ، يرجى الاتصال بنا. بلد مختلف رسوم صريحة مختلفة.



IXFN90N30 تفاصيل المنتج:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

قد تكون أيضا مهتما ب: