Escolha o seu país ou a sua região.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Imagem pode ser representação.
Veja as especificações dos detalhes do produto.

IXFN90N30

Fabricante Modelo do Produto:
IXFN90N30
Fabricante / Marca
IXYS
Parte da descrição:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Fichas de dados:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Status sem chumbo / Status RoHS:
Condição de estoque:
Novo original, estoque disponível
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Inquérito on-line

Por favor, preencha todos os campos obrigatórios com suas informações de contato.Clique "ENVIAR PEDIDO"entraremos em contato com você por e-mail. Ou envie-nos um e-mail: info@modules-igbt.com
Modelo do Produto
Fabricante
Requer quantidade
Preço-alvo(USD)
Nome da Empresa
Nome de contato
O email
Telefone
Mensagem
Por favor, digite o código de verificação e clique em "Enviar"
Modelo do Produto IXFN90N30
Fabricante / Marca IXYS
Categoria Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Descrição MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS: RoHS Compliant
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-227B
Série HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS 33mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max) 560W (Tc)
Caixa / Gabinete SOT-227-4, miniBLOC
Pacote Tube
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 300 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Número do produto base IXFN90

Embalagem

Oferecemos embalagens de blindagem estática da mais alta qualidade e economia de preços. Com 40% de transparência de luz, permite a fácil identificação de circuitos integrados (IC) (circuitos integrados) e PCB (placas de circuito impresso). A construção de metal enterrada extremamente durável dá ao desempenho FaradayCage necessário para proteger eficazmente estes componenets contra a carga estática.

Todos os produtos vão embalar em antiestático. Navio com proteção antiestática ESD.
A etiqueta de embalagem de ESD externa usará as informações da nossa empresa: parte Mumber, marca e quantidade.
Vamos inspecionar todos os produtos antes do envio, garantir todos os produtos em boas condições e garantir que as peças são novas datasheet originalmatch.
Depois que todos os bens são garantir que nenhum problema após a embalagem, vamos embalar com segurança e enviar por expresso global. Exibe uma excelente perfuração e resistência ao rasgo, juntamente com uma boa integridade do selo.
Nós podemos oferecer serviço de entrega expressa em todo o mundo, como DHLor FedEx ou TNT ou UPS ou outro despachante para envio.

Expedição Global por DHL / FedEx / TNT / UPS

Taxas de envio referencia DHL / FedEx
1). Você pode oferecer sua conta de entrega expressa para envio, se você não tiver uma conta expressa para envio, podemos oferecer nossa conta inadvertidamente.
2). Use nossa conta para envio, taxas de envio (referência DHL / FedEx, países diferentes tem preço diferente.)
Taxas de envio: (Referência DHL e FedEX)
Peso (KG): 0,00 kg-1,00 kg Preço (USD $): USD $ 60,00
Peso (KG): 1,00 kg-2,00 kg Preço (USD $): USD $ 80,00
* O preço do custo é referência com a DHL / FedEx. As taxas de detalhes, entre em contato conosco. País diferente as taxas expressas são diferentes.



IXFN90N30 Detalhes do Produto:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Você também pode estar interessado em: