เลือกประเทศหรือภูมิภาคของคุณ

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
ภาพอาจเป็นตัวแทน
ดูรายละเอียดผลิตภัณฑ์

IXFN90N30

ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFN90N30
ผู้ผลิต / แบรนด์
IXYS
บางส่วนของคำอธิบาย:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
คุณสมบัติของวัสดุ:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
สถานะสต็อค:
มีสินค้าใหม่พร้อมจำหน่ายแล้ว
จัดส่งจาก:
Hong Kong
วิธีการจัดส่ง:
DHL/Fedex/TNT/UPS

สอบถามข้อมูลออนไลน์

โปรดกรอกข้อมูลในฟิลด์ที่จำเป็นทั้งหมดด้วยข้อมูลติดต่อของคุณคลิก "ส่งคำขอ"เราจะติดต่อคุณทางอีเมลหรือส่งอีเมลถึงเรา: info@modules-igbt.com
รุ่นผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิต
ต้องใช้ปริมาณ
ราคาเป้าหมาย(USD)
ชื่อบริษัท
ชื่อผู้ติดต่อ
E-mail
เบอร์โทร
ข้อความ
กรุณาใส่รหัสยืนยันแล้วคลิก "ส่ง"
รุ่นผลิตภัณฑ์ IXFN90N30
ผู้ผลิต / แบรนด์ IXYS
ประเภท ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ไม่ต่อเนื่อง > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single
ลักษณะ MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: RoHS Compliant
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (สูงสุด) ±20V
เทคโนโลยี MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ SOT-227B
ชุด HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) 560W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ SOT-227-4, miniBLOC
บรรจุุภัณฑ์ Tube
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds 10000 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 360 nC @ 10 V
ประเภท FET N-Channel
คุณสมบัติ FET -
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) 300 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส 90A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXFN90

บรรจุภัณฑ์

เราให้บริการบรรจุภัณฑ์ป้องกันไฟฟ้าสถิตที่มีคุณภาพสูงสุดและราคาประหยัดที่สุด ด้วยความโปร่งใสของแสง 40% ทำให้สามารถระบุ IC (วงจรรวม) และ PCB (แผงวงจรพิมพ์) ได้ง่าย การสร้างโครงสร้างโลหะที่ทนทานอย่างยิ่งทำให้ FaradayCage มีความจำเป็นในการป้องกันอุปกรณ์เหล่านี้อย่างมีประสิทธิภาพต่อประจุไฟฟ้าสถิตย์

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดจะบรรจุในถุงป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ จัดส่งด้วยระบบป้องกันไฟฟ้าสถิตย์ ESD
นอกฉลากบรรจุ ESD จะใช้ข้อมูลของ บริษัท ของเรา: หมายเลขผู้ผลิต, ยี่ห้อและปริมาณ
เราจะตรวจสอบสินค้าทั้งหมดก่อนที่จะส่งให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ทั้งหมดที่อยู่ในสภาพดีและให้แน่ใจว่าชิ้นส่วนเป็นต้นฉบับแผ่นข้อมูลการแข่งขันใหม่
หลังจากสินค้าทั้งหมดให้แน่ใจว่าไม่มีปัญหา afterpacking เราจะบรรจุอย่างปลอดภัยและส่งโดยด่วนทั่วโลก มันแสดงให้เห็นว่าการเจาะที่ดีเยี่ยมและความต้านทานการฉีกขาดพร้อมกับความสมบูรณ์ของตราประทับที่ดี
เราสามารถนำเสนอบริการจัดส่งด่วนทั่วโลกเช่น DHLor FedEx หรือ TNT หรือ UPS หรือผู้ส่งอื่น ๆ สำหรับการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วโลกโดย DHL / FedEx / TNT / UPS

ค่าธรรมเนียมการจัดส่งอ้างอิง DHL / FedEx
1) คุณสามารถเสนอบัญชีจัดส่งด่วนสำหรับการจัดส่งหากคุณไม่มีบัญชีด่วนใด ๆ สำหรับการจัดส่งเราสามารถเสนอบัญชีของเราได้ล่วงหน้า
2) ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งค่าจัดส่ง (DHL / FedEx อ้างอิงประเทศที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)
ค่าจัดส่ง: (อ้างอิง DHL และ FedEX)
น้ำหนัก (กก.): 0.00 กก. - 1.00 กก ราคา (USD $): USD $ 60.00
น้ำหนัก (กก.): 1.00 กก. - 2.00 กก ราคา (USD $): USD $ 80.00
* ราคาต้นทุนอ้างอิงกับ DHL / FedEx ค่าใช้จ่ายรายละเอียดโปรดติดต่อเรา ประเทศที่แตกต่างกันค่าใช้จ่ายด่วนจะแตกต่างกัน



IXFN90N30 รายละเอียดสิ้นค้า:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

คุณอาจสนใจด้วย: