Еліңізді немесе аймақты таңдаңыз.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Сурет ұсыну болуы мүмкін.
Өнім туралы егжей-тегжейлерді қараңыз.

IXFN90N30

Өндіруші Бөлшек нөмірі:
IXFN90N30
Өндіруші / Бренд
IXYS
Сипаттама бөлігі:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Деректер кестелері:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі:
Қор қорының жағдайы:
Жаңа түпнұсқасы, қол жетімді қор.
Қайдан келу:
Hong Kong
Жіберу жолы:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Онлайн сұрау

Барлық қажетті өрістерді байланыс ақпаратыңызбен толтырыңыз. «ТАПСЫРЫС САУАЛЫ«біз сізге жақын арада электрондық пошта арқылы хабарласамыз. info@modules-igbt.com
Бөлшек нөмірі
Өндіруші
Саны қажет
Мақсатты баға(USD)
Компанияның Аты
Байланысу аты
Электрондық пошта
Телефон
Хабар
Тексеру кодын енгізіңіз және «Жіберу» басқышын басыңыз
Бөлшек нөмірі IXFN90N30
Өндіруші / Бренд IXYS
Санат Дискретті жартылай өткізгіш өнімдері > Транзисторлар - FETs, MOSFETs - Single
Сипаттама MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Макс) ±20V
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Жеткізуші құрылғысының бумасы SOT-227B
Серия HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Қуатты ажырату (макс.) 560W (Tc)
Пакет / корпус SOT-227-4, miniBLOC
Жіберілген жүк Tube
Жұмыс температурасы -55°C ~ 150°C (TJ)
Түрін орнату Chassis Mount
Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
FET түрі N-Channel
FET функциясы -
Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On) 10V
Сигнал көзіне кернеу (Vdss) 300 V
Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Негізгі өнім нөмірі IXFN90

Қаптама

Біз қол жетімді ең сапалы, үнемді статикалық қалқан қаптамасын ұсынамыз. Жарықтың 40% мөлдірлігімен IC (интегралды схемалар) және ПХД (баспа схемалары) оңай анықтауға мүмкіндік береді. Металлдарды өте ұзақ уақытқа созылуы контрадентарды статикалық зарядтан тиімді қорғауға қажетті FaradayCage өнімділігін береді.

Барлық өнімдер антистатикалық дорбаға оралады. ESD антистатикалық қорғанысы бар кеме.
ESD қаптамасының сыртында біздің компания ақпараты пайдаланылады: бөлшектердің кескіні, маркасы және саны.
Жеткізу алдында біз барлық тауарларды тексеріп, барлық тауарлардың жақсы күйде екендігіне және бөлшектердің жаңа түпнұсқа деректер кестесіне сай екендігіне көз жеткіземіз.
Барлық тауарлар қаптамадан кейін ешқандай қиындық тудырмаса, біз қауіпсіз түрде жеткізіліп, глобальды экспресс арқылы жібереміз. Мұнда пломбаның және жыртылудың төзімділігі, тығыздықтың жақсы тұтастығы бар.
Біз DHLor FedEx немесе TNT немесе UPS немесе жеткізу үшін басқа экспедитор сияқты бүкіл әлем бойынша жедел жеткізу қызметін ұсына аламыз.

DHL / FedEx / TNT / UPS арқылы әлемдік жеткізілім

Жеткізу ақысы DHL / FedEx
1). Сіз жедел жеткізілім шотыңызды жеткізілім үшін ұсына аласыз, егер сізде экспресс-шот жоқ болса, біз өз шотымызға жауап бере алмаймыз.
2). Біздің есептік жазбаны жөнелту, жөнелту ақысы үшін пайдаланыңыз (DHL / FedEx сілтемесі, әр түрлі елдердің бағасы әртүрлі).
Жөнелту ақысы: (DHL және FedEX сілтемелері)
Салмағы (КГ): 0,00кг-1,00кг Бағасы (USD $): USD $ 60.00
Салмағы (KG): 1.00кг-2.00кг Бағасы (USD $): USD $ 80.00
* Құны DHL / FedEx-ке сілтеме жасайды. Толық ақы, бізбен хабарласыңыз. Әр елде жедел төлемдер әр түрлі.



IXFN90N30 Өнім туралы мәліметтер:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Сізді де қызықтыруы мүмкін: