בחר את המדינה או האזור שלך.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרט עבור פרטי המוצר.

IXFN90N30

יַצרָן מספר חלק:
IXFN90N30
יצרן / מותג
IXYS
חלק תיאור:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
גיליונות נתונים:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS:
תנאי מלאי:
חדש המקורי, זמין מלאי.
נשלח מ:
Hong Kong
דרך המשלוח:
DHL/Fedex/TNT/UPS

חקירה מקוון

נא למלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך.לחץ על "שלח בקשה"אנו ניצור איתך קשר בקרוב בדוא"ל או שלח לנו דוא"ל: info@modules-igbt.com
מספר חלק
יַצרָן
דרוש כמות
מחיר היעד(USD)
שם החברה
שם איש קשר
אֶלֶקטרוֹנִי
טלפון
הוֹדָעָה
אנא הכנס קוד אימות ולחץ על "שלח"
מספר חלק IXFN90N30
יצרן / מותג IXYS
קטגוריה מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד
תאור MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (מקס) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (מקס ') ±20V
טֶכנוֹלוֹגִיָה MOSFET (Metal Oxide)
מארז התקן של הספק SOT-227B
סִדרָה HiPerFET™
RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
פיזור הספק (מקס ') 560W (Tc)
אריזה / מארז SOT-227-4, miniBLOC
חֲבִילָה Tube
טמפרטורת פעולה -55°C ~ 150°C (TJ)
סוג השמה Chassis Mount
קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS 10000 pF @ 25 V
שער שער (QG) (מקס) @ Vgs 360 nC @ 10 V
סוג FET N-Channel
מאפיין FET -
כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) 10V
מתח אל מקור מתח (Vdss) 300 V
זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
מספר מוצר בסיס IXFN90

אריזה

אנו מציעים את האיכות הגבוהה ביותר, חסכוני ביותר אריזת מגן סטטי זמין. עם שקיפות אור 40%, זה מאפשר זיהוי קל של IC (מעגלים משולבים) ו PCB (לוחות מודפסים). הקבורה המתכתית הקבועה ביותר נותנת ביצועים של FaradayCage הדרושים כדי להגן ביעילות על רכיבים אלה מפני staticcharge.

כל המוצרים יהיה אריזה ב staticbag אנטי. ספינה עם הגנת ESD antistatic.
בחוץ ESD האריזה של lable ישתמשו מידע של comcompany שלנו: חלק Mumber, מותג וכמות.
אנו נבדוק את כל הסחורה לפני המשלוח, להבטיח את כל המוצרים במצב טוב להבטיח את החלקים הם datasheet originalmatch חדש.
אחרי כל הסחורה הם להבטיח שום בעיות afterpacking, אנו האריזה בבטחה ולשלוח על ידי גלובל אקספרס. זה התערוכה showitsexcellent ו דמעה יחד עם שלמות חותם טוב.
אנחנו יכולים להציע ברחבי העולם שירות משלוח מהיר, כגון DHLor FedEx או TNT או UPS או משלח אחר למשלוח.

משלוח גלובלי על ידי DHL / FedEx / TNT / UPS

דמי משלוח התייחסות DHL / FedEx
1). אתה יכול להציע את משלוח משלוח אקספרס עבור המשלוח, אם אין לך חשבון אקספרס עבור המשלוח, אנחנו יכולים להציע inadvance החשבון שלנו.
2). השתמש החשבון שלנו עבור המשלוח, דמי משלוח (הפניה DHL / FedEx, מדינות שונות יש מחיר שונה.)
דמי משלוח: (הפניה DHL ו FedEX)
משקל (KG): 0.00kg-1.00kg מחיר (USD $): USD $ 60.00
משקל (KG): 1.00kg-2.00kg מחיר (USD $): USD $ 80.00
* המחיר של עלות הוא התייחסות עם DHL / FedEx. פירוט הפרטים, אנא צרו קשר. מדינה אחרת את ההאשמות אקספרס שונים.



IXFN90N30 פרטי מוצר:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

יתכן שגם אתה מתעניין: