Vyberte zemi nebo oblast.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїна
Obraz může být reprezentován.
Podrobné informace o specifikaci viz specifikace.

IXFN90N30

Výrobce Part Number:
IXFN90N30
Výrobce / značka
IXYS
Část popisu:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Datasheety:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
Stav volného vedení / RoHS:
Stav zásob:
Nový originál, Skladem k dispozici.
Odeslat z:
Hong Kong
Cesta zásilky:
DHL/Fedex/TNT/UPS

Online poptávka

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole pomocí kontaktních informací.PODAT ŽÁDOST"budeme Vás brzy kontaktovat e-mailem. Nebo nám pošlete e-mail: info@modules-igbt.com
Part Number
Výrobce
Požadované množství
Cílová cena(USD)
Jméno společnosti
kontaktní jméno
E-mailem
Telefon
Zpráva
Zadejte kód ověření a klikněte na tlačítko Odeslat
Part Number IXFN90N30
Výrobce / značka IXYS
Kategorie Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single
Popis MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Stav volného vedení / RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (max) 'Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
Technika MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package SOT-227B
Série HiPerFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Ztráta energie (Max) 560W (Tc)
Paket / krabice SOT-227-4, miniBLOC
Balík Tube
Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže Chassis Mount
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel
FET Feature -
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss) 300 V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Číslo základního produktu IXFN90

Obal

Nabízíme nejvyšší kvalitu, ekonomicky nejvýhodnější balení statického štítu. S průhledností 40%, itallows pro snadnou identifikaci IC (integrované obvody) a PCB (desky s plošnými spoji). Extrémně odolná pohřbená kovová konstrukce poskytuje výkon FaradayCage potřebný k účinnému stínění těchto komponentů před statickým nábojem.

Všechny výrobky budou baleny v antistatickém obalu. Dodejte s antistatickou ochranou ESD.
Mimo ESD bude obaly používat informace naší společnosti: částka, značka a množství.
Před odesláním zboží zkontrolujeme veškeré zboží, zajistíme, aby všechny výrobky byly v dobrém stavu a zajistily, že nové díly budou nové.
Po tom, co všechno zboží nezajistí žádné problémy s balením, budeme bezpečně zabalit a poslat globální expres. Vykazuje vynikající odolnost proti propíchnutí a roztržení spolu s dobrou integritou těsnění.
Můžeme nabídnout celosvětovou expresní zásilkovou službu, jako je DHLor FedEx nebo TNT nebo UPS nebo jiný zasilatel pro přepravu.

Globální zásilka společností DHL / FedEx / TNT / UPS

Poplatky za přepravu odkazují na DHL / FedEx
1). Můžete nabídnout svůj expresní dodací účet pro přepravu, pokud pro přepravu nemáte žádný expresní účet, můžeme Vám nabídnout náš účet.
2). Použijte náš účet pro přepravu, Poplatky za přepravu (Reference DHL / FedEx, Různé země mají jinou cenu.)
Poplatky za přepravu : (Reference DHL a FedEX)
Hmotnost (KG): 0,00 kg-1,00 kg Cena (USD $): USD $ 60.00
Hmotnost (KG): 1,00 kg-2,00 kg Cena (USD $): USD $ 80.00
* Cena nákladů je odkazem na DHL / FedEx. Podrobné poplatky nás prosím kontaktujte. Různé země expresní poplatky se liší.



IXFN90N30 Detaily produktu:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

Mohlo by vás také zajímat: