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IXFN90N30

Fabricant Modèle de produit:
IXFN90N30
Fabricant / marque
IXYS
Partie de la description:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Livret des spécifications:
IXFN90N30(1).pdfIXFN90N30(2).pdf
État sans plomb / État RoHS:
Etat du stock:
Nouvel original, Stock disponible.
Bateau de:
Hong Kong
Manière d'expédition:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modèle de produit IXFN90N30
Fabricant / marque IXYS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single
La description MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
État sans plomb / État RoHS: RoHS Compliant
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-227B
Séries HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Emballer Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 300 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)
Numéro de produit de base IXFN90

Emballage

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Tous les produits seront emballés dans un sac anti-statique. Livré avec protection antistatique ESD.
En dehors des étiquettes d’ESD, les informations utilisées seront celles de notre société: numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, nous assurerons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves.
Après que toutes les marchandises soient assurées sans problèmes après le conditionnement, nous emballerons en toute sécurité et les expédierons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure, ainsi qu'une bonne intégrité d'étanchéité.
Nous pouvons offrir un service de livraison express dans le monde entier, tel que DHLor FedEx ou TNT ou UPS ou tout autre transitaire pour l'expédition.

Expédition mondiale par DHL / FedEx / TNT / UPS

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Frais d'envoi : (Référence DHL et FedEX)
Poids (KG): 0.00kg-1.00kg Prix ​​(USD $): 60.00 USD
Poids (kg): 1,00 kg à 2,00 kg Prix ​​(USD $): 80,00 USD
* Le prix du coût est la référence avec DHL / FedEx. Les frais de détail, s'il vous plaît contactez-nous. Pays différent, les frais d’expédition sont différents.



IXFN90N30 Détails du produit:

IXFN90N30 MOSFET: High-Performance Discrete Semiconductor for Industrial Applications As industrial automation becomes more prevalent, the need for reliable, high-performance semiconductors continues to grow. One such semiconductor is the IXFN90N30 MOSFET, designed specifically for use in industrial applications. This article explores the main features and performance parameters of the IXFN90N30, its various application scenarios and usage, different types of integrated circuits, the complex manufacturing process, and the importance of appropriate packaging and testing. IXFN90N30: Product Model Number and Main Features The IXFN90N30 is a highly efficient, N-channel MOSFET that ensures reliable performance in industrial environments. This semiconductor features a 300V breakdown voltage, with a maximum current rating of 90A. It comes in a SOT-227B package and is designed to work at high temperatures. With its improved on-resistance, this MOSFET gives high switching efficiency, which makes it ideal for a broad range of industrial applications. Main Features and Performance Parameters The IXFN90N30 MOSFET delivers high output voltage, current, and power, making it an ideal solution for industrial power management systems. This semiconductor provides superior efficiency, accuracy, and temperature range, which enhances its performance in diverse applications. Additionally, it features low gate charge, which ensures fast switching speed and avoids overheating, making it suitable for high-frequency applications. Application Scenarios and Usage IXFN90N30 MOSFETs are designed for industrial applications such as solar power systems, uninterruptible power supplies (UPS), power inverters, and welding machines. The excellent performance of the MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B makes it an ideal choice for high-power, high-frequency applications in the automotive, medical, and aerospace sectors, where reliable and efficient performance is critical. Different Types of Integrated Circuits Integrated circuits are essential components of any electronic device. There are various types of integrated circuits, including digital, analog, mixed signal, and RF. The IXFN90N30 MOSFET is a mixed signal semiconductor that can provide both digital and analog signals. Digital circuits integrate Boolean functions, while analog circuits are designed to process continuous, analog signals. Mixed signal circuits combine both analog and digital signal processing. RF integrated circuits process high-frequency signals. Complex Manufacturing Process The production process for semiconductor chips involves many steps and processes, including chip design, cutting, cleaning, laser processing, back grinding, doping, exposure, and etching. The IXFN90N30 MOSFET undergoes all these processes to ensure high performance, efficiency, and reliability. Appropriate Packaging and Testing After completion of the manufacturing process, semiconductor components go through packaging and testing to ensure they meet quality standards and work correctly. Good packaging should be dust-free, safe from moisture and oxidization, and eliminate any chance of thermal shock. Testing procedures should be rigorous to ensure the finished product performs as specified. Conclusion The IXFN90N30 MOSFET is a high-performance semiconductor that surpasses other N-channel MOSFETs. Its features, performance parameters, and manufacturing process ensure reliable and efficient performance in various industrial applications. While it finds use mainly in industrial automation, it is also found in other areas such as aerospace, medical, and automotive applications. As producers increase the adoption of automation, there is potential for growth in the market of semiconductors such as IXFN90N30 MOSFETs.

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